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20 nm-4 GB-DDR3-03Samsung ist wieder einmal der Erste in etwas. Diesmal gab das südkoreanische Unternehmen bekannt, dass es ihm gelungen sei, den schnellsten RAM der Welt zu entwickeln. Speicher vom Typ DDR5 nutzen die HBM2-Schnittstelle und erreichen eine Übertragungsgeschwindigkeit von bis zu 256 GB/s, was sie bis zu siebenmal schneller macht als die bisherigen DDR7-Module, die in Grafikkarten verwendet wurden. Das Unternehmen gab bekannt, dass es seinen superschnellen 5 GB DDR4-Speicher Herstellern von Unternehmensservern sowie den Herstellern von Grafikkarten, nVidia und AMD zur Verfügung stellen wird.

Speichermodule für Grafikkarten werden im 20-nm-Fertigungsverfahren hergestellt, wodurch sie weniger verbrauchen als heutige Speicher und gleichzeitig eine höhere Leistung bieten. Derzeit werden 4-GB-Chips bestehend aus vier Schichten mit 8-Gigabit-Kernen produziert, bald soll aber auch mit der Produktion von 8-GB-Speichern mit acht Schichten begonnen werden.

20 nm 8 GB DDR4 Samsung

 

*Quelle: SamMobile

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