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20 nm-4 GB-DDR3-03Samsung Electronics hat bekannt gegeben, dass es gerade mit der Massenproduktion neuer 6-GB-LPDDR3-RAM-Module für mobile Geräte begonnen hat. Mithilfe eines 20-nm-Produktionsprozesses wird das Unternehmen neue Betriebsspeicher herstellen, was sich in einem um 10 % geringeren Energieverbrauch und einer Leistungssteigerung von bis zu 30 % niederschlagen wird. Jeder Pin dieser Speichermodule hat eine Übertragungsgeschwindigkeit von 2,133 Mbit/s.

Auch die Chips sind im Vergleich zu den Vorgängermodulen um 20 % kleiner, wenn wir einen Satz von vier Speichermodulen nebeneinander berücksichtigen. Ein Satz von vier Speichermodulen ist somit in der Lage, dem Telefon 3 GB RAM zur Verfügung zu stellen, da jedes Speichermodul einen Speicher von 768 MB bereitstellt. Hier zeigt sich, dass Samsung wahrscheinlich noch länger Zeit hat, bis zur High-End-Grenze von 3 GB RAM aufzuwachen, und wir erst irgendwann Ende nächsten Jahres anfangen können, darüber zu fantasieren, dass unser Handy Telefone verfügen über die gleiche Menge Arbeitsspeicher wie unsere Computer.

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*Quelle: Sammyhub

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