Samsung hat heute mit der Massenproduktion seiner neuen DDR3-DRAM-Module im 20-Nanometer-Herstellungsprozess begonnen. Diese neuen Module haben eine Kapazität von 4 GB, also 512 MB. Allerdings ist der verfügbare Speicher einzelner Module nicht deren primäres Merkmal. Der Fortschritt liegt gerade im Einsatz eines neuen Produktionsverfahrens, das zu einem bis zu 25 % geringeren Energieverbrauch im Vergleich zum älteren 25-Nanometer-Verfahren führt.
Der Umstieg auf die 20-nm-Technologie ist zugleich der letzte Schritt, der das Unternehmen davon trennt, mit der Produktion von Speichermodulen im 10-nm-Verfahren zu beginnen. Die derzeit für neue Module verwendete Technologie ist zudem die fortschrittlichste auf dem Markt und kann nicht nur mit Computern, sondern auch mit mobilen Geräten verwendet werden. Für Computer bedeutet dies, dass Samsung nun in der Lage ist, Chips gleicher Größe, aber mit deutlich größerem Arbeitsspeicher herzustellen. Samsung musste außerdem seine bestehende Technologie modifizieren, um die Chips kleiner machen zu können und gleichzeitig die aktuelle Herstellungsmethode beizubehalten.
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